電子工業(yè)生產(chǎn)線上的靜電及其危害

1.靜電感應的危害

2.半導體和IC生產(chǎn)線上的靜電及其危害

①穿著尼龍衣、塑膠基底鞋緩慢在清潔地板上走動，人身會帶7KV-8KV電壓

②玻璃纖維制成的晶體載料盒滑過聚丙烯桌面時，易產(chǎn)生10KV靜電。

③晶片裝配線：晶片5KV,晶片裝料盒35KV,工作服10KV,桌面10KV,有機玻璃蓋8KV,石英晶體1.5KV,晶片托盤6KV

④光刻間塑料地面500V-1000V,金屬網(wǎng)格地面也是500V-1000V,擴散間塑料地面500V-1500V瓷磚地面也是500V-1500V,塑料墻面約700V,塑料頂棚0-1000V,鋁板送風口，回風口500V-1000V,金屬活動皮革椅面500V-3000V

3.半導體和IC生產(chǎn)線上的靜電危害

①靜電庫侖力的危害：靜電庫侖國作用下吸附的粉塵、污物，可能帶給元器件，從而增大泄露或造成短路，使性能受損，成品率大大下降。如粉塵粒徑〉100微米，鋁線寬度約100微米，薄膜厚度在50微米以下時，最易使產(chǎn)品報廢，這種情形多發(fā)生在腐蝕清洗、光刻、點焊和封裝等工藝過程中

②靜電放電引起的危害：如有數(shù)千、數(shù)萬伏的高電位物體發(fā)生脈沖刷形放電或火花放電時，瞬間會有很高的放電電流流向大地時，形成脈沖狀的電流峰位在20A,造成可觀的影響，靜電放電（ESD）還伴隨著電磁波發(fā)射，會引起種種危害。

A、MOSIC等半導體器件將被靜電放電（ESD）擊穿或半擊穿。 MOS場效應管其柵極是從氧化膜引出，柵極與襯底間是隔著一層氧化膜，當柵極與襯底間的電壓超過一定值，氧化膜便被擊穿，如果MOSIC,則全部報廢了當施加電壓于天UB=50-100V,氧化膜便會被擊穿，因為柵極電容很?。s幾個微微法）,輸入阻搞很高（約1014Ω以上）,這樣，少量的電荷就會產(chǎn)生很高電壓，電荷也很難匯漏，只要大于50V（無保護）就會燒毀，所以，只要人手一摸柵極，元件就壞了，因為人帶電超過50V是平常事。

我們可以了解到集成電路對靜電敏感性，各種芯片不同之處在于所能承受的耐靜電壓值不同。實際工用條件中，幾乎20V的靜電壓直接接觸器件就足以毀壞或降低性能。

B、組裝中要損壞元器件，或造成電子儀器設備故障或誤動作。

靜電放電損壞元器件使整塊印刷電路板失去作用，造成經(jīng)濟損失；

靜電放電的噪聲引起機器設備的誤動作或故障一間接放電影響，電容放電測得結果，除產(chǎn)生瞬間脈沖大電流外，還會產(chǎn)生跨越數(shù)兆赫茲，甚至數(shù)百赫茲的強大噪聲。近年來，靜電放電噪聲引起計算機誤動作的基礎研究取得很大進展。

放電時產(chǎn)生的電磁波進入接收機后，會產(chǎn)生雜音，干擾信號從而降低信息質(zhì)量，或引起信息誤碼。

4.對電子設備生產(chǎn)過程的靜電危害

整機生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)都會遭遇靜電破壞。主要環(huán)節(jié)包括：器件的采購運輸；器件進廠檢驗、驗收；器件儲存、領料；器件插裝、焊接；產(chǎn)品組裝、檢驗；產(chǎn)品包裝，發(fā)貨。

除電子元件、電子設備生產(chǎn)過程中受到靜電破壞外，就是在產(chǎn)品使用過程中，也會受到靜電的危害。歸納起來，靜電引起的危害足以造成電子器件和電子設備性能失調(diào)，其對電子器件、設備危害的狀況不容忽視。

消除靜電相關產(chǎn)品：超聲波加濕器